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High mobility organic semiconductors for field-effect transistors
其他题名用于场效应晶体管的高迁移率有机半导体
Gao XK(高希珂); Zhao Z(赵征)
2015
发表期刊Sci. China-Chem.
卷号58期号:6页码:947-968
摘要Organic field-effect transistors (OFETs) are attracting more and more attention due to their potential applications in low-cost, large-area and flexible electronic products. Organic semiconductors (OSCs) are the key components of OFETs and basically determine the device performance. The past five years have witnessed great progress of OSCs. OSCs used for OFETs have made rapid progress, with field-effect mobility much larger than that of amorphous silicon (0.5-1.0 cm(2)/(V s)) and of up to 10 cm(2)/(V s) or even higher. In this review, we demonstrate the latest progress of OSCs for OFETs, where more than 50 representative OSCs are highlighted and analyzed to give some valuable insights for this important but challenging field.
文章类型论文
学科领域高分子化学
DOI10.1007/s11426-015-5399-5
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收录类别SCI
语种英语
WOS记录号WOS:000355266100006
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被引频次:58[WOS]   [WOS记录]     [WOS相关记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.sioc.ac.cn/handle/331003/39844
专题高分子材料研究室
通讯作者Gao XK(高希珂)
作者单位中科院上海有机化学研究所, 有机功能分子合成与组装化学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
Gao XK,Zhao Z. High mobility organic semiconductors for field-effect transistors[J]. Sci. China-Chem.,2015,58(6):947-968.
APA 高希珂,&赵征.(2015).High mobility organic semiconductors for field-effect transistors.Sci. China-Chem.,58(6),947-968.
MLA 高希珂,et al."High mobility organic semiconductors for field-effect transistors".Sci. China-Chem. 58.6(2015):947-968.
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