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All-Solution-Processed, High-Performance n-Channel Organic Transistors and Circuits: Toward Low-Cost Ambient Electronics
其他题名全溶液制备高性能的n-沟道有机晶体管和电路: 面向低成本的空气电子学
Zhao Y(赵岩); Di ZA(狄重安); Gao XK(高希珂); Hu YB(胡云宾); Guo YL(郭云龙); Zhang L(张磊); Liu YQ(刘云圻); Wang JZ(王吉政); Hu WP(胡文平); Zhu DB(朱道本)
2011
发表期刊Adv. Mater.
ISSN0935-9648
卷号23期号:21页码:2448-2453
摘要Exploration of high-performance solution-processed n-channel organic transistors with excellent stability is a critical issue for the development of powerful printed circuits. Solution-processed, bottom-gate transistors exhibiting a record electron mobility of up to 1.2 cm(2) V(-1) s(-1) are reported. The devices show excellent stability, which enables the construction of all-solution-processed flexible circuits with all fabrication procedures performed in air.
学科领域高分子化学
部门归属中科院化学研究所; 中科院上海有机化学研究所
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收录类别SCI
语种英语
WOS记录号WOS:000291732000008
引用统计
被引频次:140[WOS]   [WOS记录]     [WOS相关记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.sioc.ac.cn/handle/331003/27817
专题上海有机化学研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
Zhao Y,Di ZA,Gao XK,et al. All-Solution-Processed, High-Performance n-Channel Organic Transistors and Circuits: Toward Low-Cost Ambient Electronics[J]. Adv. Mater.,2011,23(21):2448-2453.
APA 赵岩.,狄重安.,高希珂.,胡云宾.,郭云龙.,...&朱道本.(2011).All-Solution-Processed, High-Performance n-Channel Organic Transistors and Circuits: Toward Low-Cost Ambient Electronics.Adv. Mater.,23(21),2448-2453.
MLA 赵岩,et al."All-Solution-Processed, High-Performance n-Channel Organic Transistors and Circuits: Toward Low-Cost Ambient Electronics".Adv. Mater. 23.21(2011):2448-2453.
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